金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种刻蚀方法及半导体器件”的专利，公开号CN119890039A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种刻蚀方法及半导体器件，包括提供待刻蚀结构；待刻蚀结构包括半导体结构、位于半导体结构表面的硬掩膜层、位于硬掩膜层上的抗反射层和位于抗反射层上的图案化光刻胶层，图案化光刻胶层具有第一窗口；在第一窗口对应的区域对抗反射层进行刻蚀，形成第二窗口，得到图案化抗反射层；在抗反射层的刻蚀过程中采用的刻蚀气体包括含氟气体，含氟气体在刻蚀气体中的质量占比为 1:5～1:8；去除图案化光刻胶层。本申请采用具有含氟气体的刻蚀气体，能够降低硬掩膜层的非期望损耗，从而降低以硬掩膜层材料作为反应物之一的多聚物副产物的生成量，便于多聚物副产物在去除图案化光刻胶层的过程中被同步去除。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员